●将输入交流电压增加数百倍,然后进行整流,为X射线管提供产生X射线所需的直流高压(kV)。 ●将X射线管灯丝初级电路输入转换并隔离到X射线管中。
灯丝提供加热电压●对于两个或多个X射线管,完整的kV和灯丝加热电压开关高压变压器X射线管灯丝变压器高压整流器高压开关门高压插头工作电压110 V / 60 Hz或220V / 50Hz电流消耗0.23A或0.12A重量3.3kg工作温度-10°C~50°C输出电压4.6Kv×2输出电流最大4.5mA典型应用:主要用于SV-2023离子棒,SV-2050离子风口,SV-2053离子风蛇,SV-2030离子风枪等静电消除设备。工作安全稳定,电压范围稳定,安装宽,操作简便,短路保护,接地保护良好,1路输出高压,单向测试,外观检查,高压输出端子,正负极标记; 1.5级充满度值对于1mA磁电直流电流表测试输出高压应为单向:将直流电流表负极测试引线连接到高压发生器的高压负输出端,接通高压发生器电源,输出高压设定5kV,关闭直流电流表高压发生器的高压正输出产生火花放电,直流电流表有正向电流指示;如果直流电流表连接到高压发生器的高压负输出,则负表接近高压发生器的高压正输出。
在产生火花放电后,直流电流表应具有反向电流指示。 2输出高压范围测试2.1 500V~5kV输出高压测试方法采用电阻分压测试,直流输出高压发生器用直流电压表直接测量分压电阻上的电压,乘以分压比为输出高压;单向脉冲输出高压发生器使用示波器测量分压电阻上单向脉冲的幅度,并将分压比乘以输出高电压。
2.2 5kV~120kV输出高压试验方法采用GB / T311.6-2005高压测量标准气隙进行测量,测量球直径为2cm和10cm,首先用2cm球径测量球测量5kV,10kV两个高压输出然后,使用10cm球径测量球测量每个齿轮的高压输出,从20kV到120kV。高压发生器的高压输出连接到测量球。
当测量不同输出的高压值时,根据表2测量球放电球间隙的距离。如果用火花放电间隙测试高压发生器,则将放电间隙调整到最大值距离。
保持电源电压调整为220V±4.4V。打开高压发电机电源后,逐渐将输出高压增加到测试值,并发生火花放电。
3脉冲高压发生器高压输出平均电流和直流高压发生器高压输出电流测试高压输出电流用1.5级满量程值1mA磁电直流电流表测试。高压发生器的高压正输出端连接到图1的放电间隙,直流电流表通过放电间隙连接到正极笔,负极测试笔连接到高压 - 高压发生器的高压负输出端子。
如果用火花放电间隙测试高压发生器,将放电间隙调整到最大距离,打开待测高压发生器的电源开关,将高压发生器的高压输出调整到120kV,在放电间隙中产生高压放电,并读取直流电流表指示的电流值,应符合本标准的要求。 。
4外观和结构检查方法仪器处于非工作状态。通过目视检查检查仪器的镀层是否处于良好状态,字符是否正确和清晰,紧固件是否紧固,操作检查旋钮是否对齐等。
标准4.4要求。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: tao@jepsun.com
产品经理: 陆经理
QQ: 2065372476
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 高压电容器组爆炸事故分析与时钟发生器/合成器的抗干扰设计研究 高压电容器组爆炸事件的成因与影响近年来,随着电力系统规模的不断扩大,高压电容器组在无功补偿、电压稳定等方面发挥着关键作用。然而,由于设备老化、过压运行、制造缺陷或环境因素,高压电容器组爆炸事故频发,不...
- PCI Express时钟发生器在高性能计算系统中的关键作用与应用解析 PCI Express时钟发生器的核心功能与技术优势PCI Express(PCIe)作为现代计算机系统中高速数据传输的基石,其稳定性与性能高度依赖于精确的时钟信号。时钟发生器在这一过程中扮演着至关重要的角色。1. 高精度时钟生成PCIe时钟发...
- 时钟发生器与合成器:功能、应用及选择指南 在电子设计和系统集成中,时钟发生器和合成器扮演着至关重要的角色,它们为各种电路提供必要的时序基准。时钟发生器主要负责生成单一频率的时钟信号,而时钟合成器则能够生成多个频率的时钟信号,具有更高的灵活性和...
- PCI Express时钟发生器的工作原理与应用解析 PCI Express时钟发生器的工作原理与应用解析PCI Express(PCIe)作为现代计算机系统中高速数据传输的核心标准,其稳定性和性能高度依赖于精确的时钟信号。而时钟发生器正是为PCIe链路提供精准时钟源的关键组件。1. 时钟发生器的...
- PCIe时钟发生器详解:功能、应用与选择指南 PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)作为现代计算机系统中不可或缺的数据传输标准,其性能与稳定性直接影响到系统的整体表现。在PCIe系统中,时钟发生器扮演着至关重要的角色,它负责生成和管理PCIe接口所需的时钟信号,...
- PCI Express时钟发生器的技术演进与选型指南 PCI Express时钟发生器的基本原理PCI Express时钟发生器是整个系统时钟架构的源头,负责生成符合PCIe规范的基准时钟信号。它通常基于晶振(如TCXO、OCXO)或数字合成技术(如DDS、PLL),并输出标准频率(如100 MHz、125 MHz)供后续缓...
- 深入理解PCI Express时钟发生器的选型与设计要点 深入理解PCI Express时钟发生器的选型与设计要点在高性能计算与通信系统设计中,正确选择和使用PCI Express时钟发生器是保障系统稳定运行的重要环节。本文从技术指标、兼容性、布局布线等多个维度,全面解析选型与设计关键。...
- 高压电容高值电阻分压器测量直流高压的原理与应用解析 高压电容高值电阻分压器测量直流高压的原理概述在电力系统和高压试验中,准确测量直流高压是确保设备安全运行和实验数据可靠性的关键环节。高压电容高值电阻分压器是一种广泛应用于直流高压测量的精密装置,其核心原...
- 深入剖析高压电容高值电阻分压器在直流高压测试中的关键技术要点 高压电容高值电阻分压器在直流高压测试中的关键技术分析随着电力系统向更高电压等级发展,对直流高压测量的准确性、稳定性和安全性提出了更高要求。高压电容高值电阻分压器凭借其优异的电气性能和可靠性,已成为直流...
- 电容器虚焊(电容器虚焊会发生什么) 电容器虚焊(电容器虚焊会发生什么)电容器虚焊过程中的电压放大系数高频信号的放大系数将略有增加。相当于对高频的滤波效果失效。原本并联的电容器去除了高频成分,但对频率较高的信号也有一定的旁路作用。断开后,...
- 高压电容与高值电阻分压器在直流高压测量中的原理与应用解析 高压电容与高值电阻分压器测量直流高压的基本原理在电力系统和高电压实验中,准确测量直流高压是确保设备安全运行和实验数据可靠性的关键环节。高压电容与高值电阻分压器是两种常用的直流高压测量装置,其核心原理均...
- 固定偏压产生器工作原理及应用 固定偏压产生器是一种电子设备,它主要用于为某些电子元件或电路提供稳定且可调节的电压偏置。这种装置在各种电子系统中有着广泛的应用,特别是在需要精确控制电流或电压的场合。例如,在射频放大器、光电二极管和激...
- 低压电容器生产商诚信经营16年 低压电容器通常指额定电压在400伏至60千伏之间的电力电容器。低压电容器的作用是提高功率因数,以降低功耗成本,降低设备负荷,增加其寿命,减少电源端与电源端之间的线路损耗。(1) 50~60年代,称为第一代低压电容器,其结...
- GaAs FET偏压产生器设计与应用研究 在现代微电子技术中,GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET)因其高频性能和高功率处理能力而被广泛使用。为了确保GaAs FET能够稳定、高效地工作,为其提供适当的偏置电压是至关重要的。本文将探讨GaAs FET偏压产生器的设计原理、...
- 切换式偏压产生器工作原理及应用 切换式偏压产生器是一种能够提供可调节电压输出的设备,它在许多电子系统中扮演着重要角色。这种产生器通常由振荡电路、控制逻辑和输出级组成,通过改变输出级的工作状态来实现不同电压值的输出。在某些情况下,切换...
- 固定偏压产生器的设计思路与性能优化 固定偏压产生器的设计思路与性能优化固定偏压产生器(Fixed Bias Generator)是一种为特定电子设备提供恒定偏置电压的电源模块,常见于运算放大器、模拟开关、晶体管放大电路等需要稳定工作点的场景。其设计目标在于提供高精...
- GaAs FET 偏压产生器核心技术解析与应用优势 GaAs FET 偏压产生器核心技术解析GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)因其优异的高频特性、低噪声和高电子迁移率,广泛应用于射频(RF)、微波通信及高速数字电路中。而稳定可靠的偏压产生器是确保GaAs FET正常工作的重要环节。1. ...
- 切换式偏压产生器的工作原理与应用解析 切换式偏压产生器的工作原理与应用解析切换式偏压产生器(Switching Bias Generator)是一种广泛应用于模拟电路、射频系统和电源管理中的关键组件。其核心功能是通过开关模式控制,动态调节电路中的偏置电压,以满足不同工作...
- GaAs FET偏压产生器的拓扑结构比较与选型指南 GaAs FET偏压产生器的主流拓扑结构分析在实际工程应用中,选择合适的偏压产生器拓扑对GaAs FET性能至关重要。目前主流方案包括分立电阻网络、参考电压源驱动、以及基于IC的集成偏压芯片。以下从成本、精度、稳定性三方面进...
- GaAs FET 偏压产生器的设计原理与应用优势分析 GaAs FET 偏压产生器的核心作用与技术特点在高频通信系统和射频前端设计中,GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)因其优异的电子迁移率和高速响应特性而备受青睐。然而,其稳定工作依赖于精确且低噪声的偏压电源。因此,一个高性...