独立的高频和低频频段增强了对激励器可变频率范围的控制。完全可调节的可变管效果,适用于音调和音调。
低音增强和音调IN / OUT开关继电器控制。旁路通道链路功能平衡XLR和1 / 4TRS输入和输出实际工作电平,独立选择输入和输出管激励器可以增加高频谐波分量,并且还具有低频扩展,以增加低频效应的效果。
高频激励器可以精确定位最佳听音点以增强固定频率,低频激励器可以调节低频声音。它具有透明性和吸引力,温暖而有力,分层和穿透,加上电位计控制可以精确调节管与传统半导体前置放大器之间的输入差异,使您可以更灵活地控制表演者的声音温暖。
1.将处理器开关设置为IN。 2.低音音调IN / OUT开关设为IN位置。
3.将输入电平和输出电平设置为OdB位置。 4,BASS BOOST,BASS TIMBER,ENHANCER / EXCITER和HIGH BOOST的电平调整到最低5,BASS BOOST和HIGH BOOST的电平逐渐调整,直到两个频段的变化都很明显。
6.调节音调TUNE控制,设置高通滤波器的频率,并调节ENHANCER / EXCITER。控制找到最好的ENHANCER高频激励 - EXCITER低频增强比增强通道输入带管激励器可以为调音台的低通道输入信号增加色彩,如果调音台有一个插入点,信号就是这个点是由Y传输的-line到V管激励器接收过程。
增强预录音频的播放效果。您可以使用电子管激励器来增强从多轨录音机获得的预录音频材料。
首先将记录器输出轨道连接到管激励器的输入通道,然后将管激励器输出通道连接到音调。用于站的一组总线输入,以及可选地进一步处理信号,即管激励器的输出信号在被发送到混频器之前被发送到另一个信号处理器。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管性能对比分析 N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管核心差异解析在现代电子系统设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为关键的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,N沟道与P沟道MOS管因其工作原...
- P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V参数对比及应用解析 P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V核心参数对比在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高效率、低功耗和快速开关特性被广泛应用。其中,30V耐压等级的P沟道与N沟道MOS管是电源管理、电机驱动和负载开...
- P沟道MOS管与N沟道MOS管的核心差异解析:结构、工作原理与应用对比 P沟道MOS管与N沟道MOS管的基本概念MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现代电子电路中不可或缺的元件,根据导电沟道类型不同,可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)以空穴为多数载流子,而N沟道MOS管(NMO...
- 单信道栅极驱动器在P沟道MOS管驱动设计中的应用与优化 单信道栅极驱动器在P沟道MOS管驱动设计中的核心作用在现代电力电子系统中,尤其是电源管理、电机控制和开关电源(SMPS)等应用中,P沟道MOS管因其高侧开关特性被广泛使用。然而,其栅极驱动要求较为特殊,需精确控制栅源...
- 如何正确执行整流变压器直流电阻标准测试流程 如何正确执行整流变压器直流电阻标准测试流程整流变压器广泛应用于电解、电镀、牵引供电等领域,其直流电阻的准确性直接关系到设备效率与寿命。按照国家及行业标准规范操作,是保证测试结果可靠的关键。一、测试前准...
- 如何在8V–29V系统中优化选择N沟道与P沟道MOS管? 8V–29V系统中N沟道与P沟道MOS管选型策略指南在设计8V至29V的电源管理系统、电机控制器或智能开关电路时,正确选择N沟道或P沟道MOS管至关重要。以下从多个维度提供实用选型建议,帮助工程师实现最佳性能与成本平衡。1. 明确应...
- 30V N沟道与P沟道MOS管选型指南:从参数到实际电路设计 如何正确选择30V N沟道与P沟道MOS管?在电源管理、智能控制和便携设备设计中,合理选用30V耐压等级的MOS管是保障系统稳定性和能效的关键。以下从选型标准、电路布局和实际案例出发,提供全面指导。1. 核心选型指标工作电压...
- P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
- P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同,MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)在栅...
- P沟道与N沟道MOS管100V参数详解:选型与应用指南 P沟道与N沟道MOS管100V核心参数解析在现代电子系统中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高开关速度、低导通损耗和良好的热稳定性,被广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,100V耐压等级的P沟道...
- 如何在31V至99V系统中正确选择P沟道与N沟道MOS管?技术指南与实战建议 前言:高压系统中的关键元件选择在31V至99V的直流供电系统中,如储能系统、电动工具、医疗设备及智能电网接口装置,正确选择合适的MOS管是确保系统稳定、高效运行的核心。本文将结合实际工程案例,提供一套完整的选型流...
- N沟道30V MOS管在电源管理中的应用与优势解析 N沟道30V MOS管的核心特性与应用场景在现代电子系统中,尤其是便携式设备、智能电源管理模块和工业控制领域,N沟道30V MOS管因其出色的电压耐受能力与低导通电阻特性而备受青睐。其额定电压高达30V,能够有效应对多种电源波...
- mos管沟道电阻 mos管导通特性与条件 mos管导通电阻mos管导通特性与条件(一)mos管导通特性金属-氧化层半导体场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect tr...
- 双通道USB切换器如何提升多设备管理效率? 双通道USB切换器的核心优势解析在现代办公与家庭环境中,用户常常需要同时连接多个USB设备,如键盘、鼠标、U盘、打印机等。双通道USB切换器应运而生,成为高效管理多设备的智能解决方案。1. 实现无缝设备切换双通道USB切换...
- 深入理解8V至29V N沟道MOS管在电源管理中的关键作用 8V至29V N沟道MOS管如何优化电源系统设计随着电子设备对能效和小型化要求日益提高,采用8V至29V N沟道MOS管成为优化电源管理方案的重要手段。其在降压(Buck)、升压(Boost)及反激(Flyback)变换器中的应用尤为突出。1. 降低功...
- 深入解读:30V与100V N沟道MOS管在电源管理中的技术优势与挑战 30V vs 100V N沟道MOS管:技术优势与工程实践随着电子设备向小型化、高效化发展,合理选择N沟道MOS管成为电源设计的关键环节。本文从技术参数、实际应用和可靠性角度,深入剖析30V与100V等级器件的核心差异。1. 30V N沟道MOS管的技...
- 单通道USB切换器:高效管理设备连接的智能解决方案 什么是单通道USB切换器?单通道USB切换器是一种专为单一USB设备设计的硬件切换装置,允许用户在多个主机(如电脑、显示器或控制终端)之间快速切换该设备的连接。与多通道切换器不同,它仅支持一个设备的接入与切换,适...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
- P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...