存储在只读存储器（称为ROM）中的数据通常在加载到整个机器之前预先写入。
预存数据只能在整个工作过程中从只读存储器中读取，而不是像随机存取存储器那样快速方便地重写。
由于存储在ROM中的数据相对稳定且难以改变，因此即使在电源关闭之后存储的数据也不会改变。
其次，它的结构相对简单，读取方便，因此常用于存储各种固定程序和数据。
半导体只读存储器中的存储器单元是诸如二极管，双极晶体管或MOS晶体管的半导体器件，其位于字线和位线的交叉点处。
以增强型N沟道MOS晶体管为例，栅极引出线路连接线，漏极引线连接线，源极引线接地。
当字线为高时，晶体管导通，位线输出低电平（逻辑“0”）。
如果在交叉点处没有连接晶体管，则通过负载晶体管将位线拉高（逻辑“1”）。
其他未选择的字线都是低电平，并且挂在字线上的所有晶体管都是不导通的，因此位线的输出电平不受影响。
因此，存储在该点（存储单元）的数据是否为“0”。
或“1”或“1”。
通过晶体管是否连接到字线和位线交叉来确定。
存储在只读存储器中的数据函数由制造过程中使用的掩码确定，因此它也称为掩码只读存储器。
在实际应用中，除了少量的只读存储器（如字符发生器）外，不同用户所需的只读存储器的内容是不同的。
为了方便用户和工业大批量生产，出现了可编程只读存储器。
该电路设计为在每个存储器单元（例如肖特基二极管）上串联连接熔丝。
在正常工作条件下，保险丝起到导线的作用;当字线和与其连接的位线上的工作偏压增加时，熔丝熔断。
通过这种方式，用户可以自己编写和存储所需的数据。
可编程只读存储器的任何单元只能写入一次是不方便的。
为了解决这个问题，出现了可擦除可编程只读存储器。
这些存储器中使用最多的是浮栅雪崩注入MOS单元。
当足够高的电压施加到所选单元的源极或漏极引线以引起器件的雪崩击穿时，高能热电子通过栅极氧化物注入浮动栅极以对浮动栅极充电，从而改变通道。
为了写入的目的实现导电状态：擦拭通过紫外线照射进行。
紫外光的照射允许浮栅上的电子获得足够的能量以穿透栅氧化物势垒，从而消除浮栅的浮置状态。
电可重写只读存储器是一种新型的只读存储器。
其原理是在强电场的作用下通过隧道效应将电子注入浮栅，或者反过来将电子拉离浮栅。
以这种方式，可以通过电子装置容易地擦除和写入只读存储器。
可擦除可编程只读存储器的写入速度相对较慢，并且每个位的写入速度大约需要几十到几百毫秒。
写入完整的内存片需要几十到几百秒：擦除速度较慢，一般情况下紫外光源需要几十分钟才能照亮。
电可重写只读存储器擦除器的写入速度比读取速度慢几个数量级。
半导体只读存储器可分为以下四种类型：掩模ROM（MROM），一次性可编程ROM（PROM），可擦除可编程ROM（EPROM）和闪存。
